缺陷的数量以及大小取决于PVD的工艺类型、沉积状态，尤其是基体温度和沉积偏压。同时，基体的表面质量诸如表面粗糙度、缺陷等也与表面膜层的缺陷密不可分。PVD技术无法克服因表面粗糙度高引起的阴影效应，从而使得制备的膜层受基体本身的影响较大，均匀性不好，致密性也很差，因此制备膜层的基体表面必须尽可能平整、光滑。另外，掺杂原子的添加也可优化涂层的显微组织结构，提高耐蚀性。

　　相对于AZ31镁合金基体来讲，TiN膜层显著降低了其腐蚀电流密度，而在-200V偏压下制备的TiN膜层，相应膜基体系的耐蚀性更是进一步提高。正如前面所分析的，高的沉积偏压使得到达基体表面的沉积原子的能量增大，导致形核条件的改变。另外高能粒子的轰击更能使得形成的膜层更加致密，进一步消除前期膜层中形成的缺陷，从而降低膜层的空隙率，提高其耐蚀性能。

　　消除膜层表面缺陷的另外一类技术就是沉积多层复合膜，通过复合膜层的匹配增加膜层厚度，消除通孔等结构缺陷。这一类体系的膜层有金属氮化物/金属以及金属氮化物复合体系等。通过工艺调整以及膜层的匹配性选择，便能取得比单一膜层体系更好的耐腐蚀性能。

                                                                                                                                              更多资料来源于:http://www.pvd888.com